锴威特半导体股份是国家专精特新小巨人企业,专注于智能功率半导体器件与功率集成芯片研发。公司自主研发的超高压平面 MOSFET 最高耐压达 1700V,650V-1700V SiC MOSFET 已实现产业化量产,配套移相全桥控制器 CSV3951 支持零电压开关(ZVS)与同步整流技术,可提升电源效率至 98% 以上。产品覆盖工业控制、新能源汽车、光伏逆变等领域,近 700 款产品通过省级高可靠性功率器件工程技术研究中心认证,其中 1500V 超高压 MOSFET “CS4N150” 荣获中国半导体创新产品和技术奖。公司拥有 109 项授权专利及 87 项集成电路布图设计专有权,2025 年推出的全国首款 150V 高压理想二极管控制器 CSV2571,导通压降低至 20mV,反向关断时间 < 0.75μs,助力充电桩、储能系统实现高效低耗。作为国产功率半导体领军企业,锴威特深度服务小米、美的等头部客户,并在高可靠领域为军工、航天等关键场景提供定制化解决方案。
名称 | 大小 | 时间 | 下载 |
功率驱动 - 功率模块 | M | 2025-08-01 | |
功率驱动 - 半桥驱动 | M | 2025-08-01 | |
功率驱动 - 低边驱动 | M | 2025-08-01 | |
电源管理 - 电压基准 | M | 2025-08-01 | |
电源管理 - 线性稳压器LDO | M | 2025-08-01 | |
电源管理 - DCDC稳压器 | M | 2025-08-01 | |
电源管理 - PFC控制器 | M | 2025-08-01 | |
电源管理 - 同步整流&负载共享 | M | 2025-08-01 | |
电源管理 - PWM控制器 | M | 2025-08-01 | |
Power Device - FRMOS | M | 2025-08-01 | |
Power Device - IGBT | M | 2025-08-01 | |
Power Device - SiC SBD | M | 2025-08-01 | |
Power Device - SiC MOSFET | M | 2025-08-01 | |
Power Device - SGT MOSFET | M | 2025-08-01 | |
Power Device - Trench MOSFET | M | 2025-08-01 | |
Power Device - Super Junction MOSFET | M | 2025-08-01 | |
Power Device - Planar MOSFET | M | 2025-08-01 |
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